CMOS型激光位移传感器HG-C系列HG-C1030-KERNTECH，科恩电气，工业自动化控制系统服务商

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CMOS型激光位移传感器HG-C系列HG-C1030

CMOS型激光位移传感器HG-C诞生！

编号：101492365

型号：HG-C1030

品牌：Panasonic(松下电工)

货期：现货

服务：由科恩电气发货并提供售后服务

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基本信息
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CMOS型激光位移传感器HG-C诞生！
※HG-C1030(-P)的情况

CE 、FDA 已取得。
CE : EMC指令(HG-C1050L(-P) 除外)
FDA : HG-C1050L(-P)除外

2016年6月　增加模拟电流输出。

关于模拟输出，“模拟电压输出”“模拟电流输出”可任选其一。（HL-C1050L(-P)除外）

特点

配备0～5V的模拟电压输出^※2

用测距传感器规定测定值
・直线性：±0.1％F.S.^※1
・温度特性：0.03％F.S./℃
※1 : HG-C1030／HG-C1050／HG-C1100的情况

不仅能以mm为单位显示数值，还能读取模拟电压输出。
读入到PLC＋模拟量单元，还能执行各种运算，并存储(记录)测量值。

※2 :从2016年6月生产的产品开始，也可选择模拟电流输出选项。（HL-C1050L(-P)除外）

<紧凑>

设计出内部安装有镜面的新型光学系统
一般通过延长受光部分与受光元件(CMOS)之间的光路长度，从而可获得精度更高、更稳定的测量值，但是另一方面，传感器的进深方向会变长，机身形状也会变大。HG-C系列设计出内部安装有反射镜的新型光学系统，并缩短进深方向的尺寸，同时又可实现与变位传感器相媲美的高精度测量。

采用铝铸外壳，使机身免受变形和温度的困扰
采用同时兼顾轻量与强度的铝铸外壳。虽然尺寸小巧，但是机身坚固，从而减少外壳变形和温度等不稳定因素对测量精度所产生的影响。

<占绝对优势的稳定检测>
实现1/100ｍｍ的高精度检测

采用高精度CMOS传感器&独特的算法
采用位移传感器所使用的高精度CMOS影像传感器，以及位移传感器一直使用的本公司独特的算法，使距离设定反射型传感器实现前所未有的高精度（1/100mm）。

配备便利的功能

教导&窗口比较模式

存在检测物体的状态下，只需按下 “TEACH”键，即可简单地设定基准值。
另外，在2个基准值范围内即判为OK，超出范围即判为NG，1个输出即可做出判定。

针对与检测物体基准面之间的距离，设置上限值和下限值，想要通过上下限的范围进行判别时，使用该方式。

执行2点教导，设定基准值范围。
※针对距离有所不同的检测物体有效。

执行3点(检测物体A、B、C)教导时，教导值将会自动按照升序(教导值1、2、3)重新排列数值，在教导值1与教导值2之间设定基准值，并在教导值2与教导值3之间设定基准值，从而设定基准值范围。
※针对距离有所不同的检测物体有效。

除教导&窗口比较模式外，还配备有[上升沿微分模式]、[下降沿微分模式]以及[通常检测模式]。在通常检测模式下，可使用基本教导方法中的“2点教导”，存在微小物体和背景物体的情况下，还可使用便捷的[限位教导]。

设定定时功能

可设定定时器的动作:“OFF延迟定时器”、“ON延迟定时器”、“单触式定时器”、“无定时器”。定时时间固定为5ms。

OFF延迟定时器
<功能> 使输出信号延迟5ms。
<用途> 连接机器的响应速度较慢，检测时间无法满足其要求时，宜使用该设定。

ON延迟定时器
<功能> 从检测时开始，使5ms内的输出信号无效。
<用途> 想要使短时间信号无效的情况下，以及需要利用时间差进行控制的情况下，可方便地使用该设定。

单触式定时器
<功能>从检测时开始，仅在5ms内发送输出信号。
<用途> 根据连接机器的输入条件，信号时间必须保持恒定时，宜使用该设定。另外，想要使短时间的信号延长至必要的时间宽度时，也可有效使用该设定。

调零功能
该功能可使测量值强制 “调零”。可任意决定零点。以检测物体的高度为基准值，测量其公差的情况下，或者测量段差时，可方便地使用该功能。

※调零功能有效时，调零指示灯(黄色)将会点亮。
※峰值·谷值保持功能有效时，如执行调零功能，则会使所保持的测量值复位。
※显示设定设为偏移时，将无法设置调零功能。

设定外部输入功能
可从以下4个功能中选择1个分配到外部输入线：“调零功能”、“教导功能”、“停止投光功能”、“触发功能”。

设定显示功能
相对于检测物体的移动方向，可选择以下三种显示方法：“通常”、“反转”、“偏移”。

例：HG-C1050

峰值、谷值保持功能

配备有峰值保持功能或者谷值保持功能。
峰值保持功能：该功能有效时，将会保持测量值的大值，显示并输出保持值。
谷值保持功能：该功能有效时，将会保持测量值的小值，显示并输出保持值。

※不能同时设定峰值保持功能和谷值保持功能。
※设定峰值保持功能或者谷值保持功能时，如执行调零功能，则会使所保持的测量值复位。

基准值微调功能

可在测量画面中微调基准值。教导后，也可对基准值进行微调。

按键锁定功能

可使按键操作失效，以免错误地更改已设定的条件。

※关于其他功能以及各功能的设定步骤，请参照「使用注意事项　PRO模式设定」。

微晶石平整度检测新利器[HG-C1050L]

陶瓷行业特别推荐

专用方式，有效区分表层(透明)与底层(非透明)平面，准确测量表层的平整度。

搭载CMOS，高精度&小尺寸兼顾

继承HG-C1000搭载高精度CMOS及小尺寸的特性，在此基础上追加微晶石检测专用方式，实现光泽表面的精准检测。

双重模拟输出可切换

配备模拟电流4mA～20mA输出，模拟电压0V～5V输出，两种输出方式可切换，用户按需选择。(默认：模拟电流输出)

种类

种类	形状	测量中心距离和测量范围	重复精度	光束直径 (注1)	型号
种类	形状	测量中心距离和测量范围	重复精度	光束直径 (注1)	NPN输出	PNP输出
检测中心 30mm型		30±5mm	10μm	约ø50μm	HG-C1030	HG-C1030-P
检测中心 50mm型		50±15mm	30μm	约ø70μm	HG-C1050	HG-C1050-P
检测中心 50mm型		50±4mm	20μm	约ø150μm	HG-C1050L	HG-C1050L-P
检测中心 100mm型		100±35mm	70μm	约ø120μm	HG-C1100	HG-C1100-P
检测中心 200mm型		200±80mm	200μm	约ø300μm	HG-C1200	HG-C1200-P
检测中心 400mm型		400±200mm	300μm (检测距离 200～400mm) 800μm (检测距离 400～600mm)	约ø500μm	HG-C1400	HG-C1400-P

(注1)：	测量中心距离处的值。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义这些值。如果定义范围外有漏光，并且检测点范围的反射率高于检测点本身，则结果可能会受到影响。

规格

种类		测量中心距离200mm型	测量中心距离400mm型
型号	NPN 输出	HG-C1200	HG-C1400
型号	PNP 输出	HG-C1200-P	HG-C1400-P
符合规则		EMC适合指令、FDA规则
测量中心距离		200mm	400mm
测量范围		±80mm	±200mm
重复精度		200μm	300μm(测量距离200～400mm) 800μm(测量距离400～600mm)
直线性		±0.2%F.S.	±0.2%F.S.(测量距离200～400mm) ±0.3%F.S.(测量距离400～600mm)
温度特性		0.03% F.S./℃
光源		红色半导体激光 2级[JIS/IEC/GB/FDA(注2)] 最大输出：1mW、投光波峰波长：655nm
光束直径 (注3)		约ø300μm	约ø500μm
电源电压		12～24V DC±10%　脉动P-P10%以下
消耗电流(注4)		40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出		NPN开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下(控制输出-0V之间) ・剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) ・漏电流：0.1mA以下 PNP开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下(控制输出-+V之间) ・剩余电压：1.5V以下(流出电流50mA时) ・漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON/非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动恢复)
模拟输出	模拟电压输出	・输出范围：0～5V(报警时：+5.2V) ・输出阻抗：100Ω
模拟输出	模拟电流输出(注5)	・输出范围：4～20mA(报警时：0mA) ・输出阻抗：300Ω
反应时间		1.5ms／5ms／10ms　可切换
外部输入		〈NPN输出型〉 NPN无接点输入・输入条件无效：+8～+V DC或开路有效：0～+1.2V DC ・输入阻抗：约10kΩ PNP无接点输入・输入条件无效：0～+0.6V DC或开路有效：+4～+V DC ・输入阻抗：约10kΩ
污损度		2
使用标高		2,000m以下
耐环境性	保护构造	IP67(IEC)
	使用环境温度	-10～+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时：-20～+60℃
	使用环境湿度	35%RH～85%RH、储存时：35%RH～85%RH
	使用环境照度	白炽灯：受光面照度3,000 lx以下
	耐振动	耐久10～55Hz(周期1分钟) 双振幅1.5mm XYZ各方向2小时
	耐冲击	耐久500m/s²(约50G) XYZ各方向3次
电缆		0.2mm² 5芯复合电缆，长2m
延长电缆		0.3mm²以上电缆　最多延长至全长10m
材质		本体外壳：压铸铝　前罩：丙烯基
重量		本体重量：约35g(不含电缆)，约85g(含电缆)

(注1):	未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。
(注2):	根据FDA规则中Laser Notice No.50规定，并以FDA为准。
(注3):	测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。
(注4):	从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
(注5):	从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。

种类		测量中心距离30mm型	测量中心距离50mm型	测量中心距离100mm型
型号	NPN 输出	HG-C1030	HG-C1050	HG-C1100
型号	PNP 输出	HG-C1030-P	HG-C1050-P	HG-C1100-P
符合规则		EMC适合指令、FDA规则
测量中心距离		30mm	50mm	100mm
测量范围		±5mm	±15mm	±35mm
重复精度		10μm	30μm	70μm
直线性		±0.1% F.S.
温度特性		0.03% F.S./℃
光源		红色半导体激光　2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2) 最大输出：1mW、投光波峰波长：655nm
光束直径（注3）		约ø50μm	约ø70μm	约ø120μm
电源电压		12～24V DC±10%　脉动P-P10%以下
消耗电流（注4）		40mA以下（电源电压24V DC时）65mA以下（电源电压12V DC时）
控制输出		〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出-0V之间）・剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA时）・漏电流：0.1mA以下〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管・最大源电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出-＋V之间）・剩余电压：1.5V以下（流出电流50mA时）・漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON/非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动恢复)
模拟输出	模拟电压输出	・输出范围：0～5V(报警时：+5.2V) ・输出阻抗：100Ω
模拟输出	模拟电流输出(注5)	・输出范围：4～20mA(报警时：0mA) ・输出阻抗：300Ω
反应时间		1.5ms／5ms／10ms 可切换
外部输入		〈NPN输出型〉 NPN无接点输入・输入条件无效：＋8～＋V DC或开路有效：0～＋1.2V DC ・输入阻抗：约10kΩ PNP无接点输入・输入条件无效：0～＋0.6V DC或开路有效：＋4～＋V DC ・输入阻抗：约10kΩ
污损度		2
使用标高		2,000m以下
耐环境性	保护构造	IP67(IEC)
	使用环境温度	－10～＋45℃（注意不可结露、结冰）、存储时20～＋60℃
	使用环境湿度	35%RH～85%RH，存储时：35%RH～85%RH
	使用环境照度	白炽灯：受光面照度3,000 lx以下
电缆		0.2mm² 5芯复合电缆，长2m
材质		本体外壳：压铸铝　前罩：丙烯基
重量		本体重量：约35g(不含电缆)，约85g(含电缆)

(注1):	未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。
(注2):	根据FDA规则中Laser Notice No.50规定，并以FDA为准。
(注3):	测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。
(注4):	从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
(注5):	从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。

种类		测量中心距离50mm型
型号	NPN 输出	HG-C1050L
型号	PNP 输出	HG-C1050L-P
测量中心距离		50mm
测量范围		±4mm
重复精度		20μm
直线性		±0.3% F.S.
温度特性		0.03% F.S./℃
光源		红色半导体激光　1级(JIS/IEC/GB) 最大输出：0.2mW、发光光束波长：655nm
光束直径（注2）		约ø150μm
受光元件		CMOS图形传感器
电源电压		12V～24V DC±10%　脉动P-P10%
消耗电流		40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出		〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出和0V之间）・剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA下）・漏电流：0.1mA以下〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管・最大源电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出和＋V之间）・剩余电压：1.5V以下（流出电流50mA下）・漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON/非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动恢复)
模拟输出	电压	・输出范围：0V~5V(报警时：+5.2V) ・输出阻抗：100Ω
模拟输出	电流	・输出范围：4mA~20mA(报警时：0mA) ・负载阻抗：300Ω最大
反应时间		1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入		〈NPN输出型〉 NPN无接点输入・输入条件无效：＋8V～＋V DC或者开放有效：0V～＋1.2V DC ・输入阻抗：约10kΩ PNP无接点输入・输入条件无效：0V～＋0.6V DC或者开放有效：＋4～＋V DC ・输入阻抗：约10kΩ
保护构造		IP67(IEC)
污染度		2
使用环境温度		－10℃～＋45℃（注意不可结露、结冰）、存储时：－20℃～＋60℃
使用环境湿度		35%RH～85%RH、存储时：35%RH～85%RH
使用环境照度		白炽灯：受光面照度3,000 lx以下
使用标高		2,000m以下
电缆		0.2mm² 5芯复合电缆长2m
材质		本体外壳：铝铸件前面盖板：丙烯基
重量		约35g(不含电缆)、约85g(含电缆)
适用规格		符合EMC指令

(注1):	未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC、环境温度：+20℃、反应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。
(注2):	该值为测量中心距离上的值。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，检测结果可能会受到影响。
(注3):	测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。